Aufgabe In diesem Versuch geht es um die Charakterisierung der Oberflächenrekonstruktion auf einer Silizium-Probe sowohl im reziprokem, als auch im realen Raum. Zunächst soll im Ultrahochvakuum (UHV) eine saubere Si(111) Oberfläche präpariert werden, um anschließend Untersuchungen mittels Elektronenbeugung (Low Energy Electron Diffraction, LEED) durchzuführen. Ziel ist die Bestimmung der Einheitszelle der Rekonstruktion durch ihre Abbildung im reziproken Raum. Als komplementäre Methode wird die atomare Abbildung der Oberfläche mit dem Tieftemperatur- Rastertunnelmikroskop (LT-STM) angewendet (Abbildung im Realraum). Vergleichen Sie Realraumabbild und Beugungsbild (Abbildung im reziproken Raum).Versuchsanleitung (pdf, Deutsch) Instructions (pdf, English)
Betreuer: Dr. Viola v. Oeynhausen, Dr. Ingo Barke
Kontakt:
Universitätsplatz 3, Zimmer 216
e-mail: ingo.barke (at) uni-rostock.de